| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 61nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R - Rail/Tube (Alt: IRF7416PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7416PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P, -30V, -10A, SO-8
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| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single P-Channel 30 V 0.02 Ohm 61 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -30V, RDS(ON) 0.02Ohm, ID -10A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20V, -55 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7416PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: P Power dissipation: 2.5 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7416PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: P-MOSFET, unipolar, -30V, -10A, 2.5W, SO8, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7416PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, P-Channel, SO
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7416PB | International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，10A，HEXFET，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF7416PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，10A，HEXFET，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF7416PBF International Rectifier | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| IRF7416PBF International Rectifier | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7416PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，10A，HEXFET，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7416PBF | 9103392 | INFINEON 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 20 mohm, 10 V, -1 V  (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET P, -30 V -10 A 2.5 W SO-8, IRF7416PBF, IR 型号：IRF7416PBF 仓库库存编号：171-15-959 | | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | International Rectifier MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.02Ohm; ID -10A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V; -55 型号：IRF7416PBF 仓库库存编号：70017278 |  | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF7416PBF 品牌： Infineon 库存编号： 919-4820 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号： IRF7416PBF 品牌： Infineon 库存编号： 541-0143 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 59 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 61 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1700 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.02 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
