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International Rectifier - IRF7413ZTR - MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC - IRF7413ZTR
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MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

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MOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R

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Single N-Channel 30 V 10 mOhm 9.5 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Single N-Channel 30 V 10 mOhm 9.5 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 8 Milliohms, ID 13A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20V

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 13A, 2.5W, SO8, HEXFET?

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13A, 30V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA

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Infineon Technologies - IRF7413ZTR - MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

型号:IRF7413ZTR
仓库库存编号:IRF7413ZTR-ND
别名:SP001551338 <br>
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Infineon Technologies - IRF7413ZTRPBF - MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

型号:IRF7413ZTRPBF
仓库库存编号:IRF7413ZPBFCT-ND
别名:*IRF7413ZTRPBF <br>IRF7413ZPBFCT <br>
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Infineon - IRF7413ZTRPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413ZTRPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7413ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8923
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MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
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IRF7413ZTRPBF
INFINEON IRF7413ZTRPBF
2468020

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1.8 V

(EN)
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IRF7413ZTRPBF
INFINEON IRF7413ZTRPBF
2468020RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1.8 V

(EN)
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IRF7413ZTRPBF.
INFINEON IRF7413ZTRPBF.
1374986

INFINEON

场效应管, MOSFET

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IRF7413ZTR|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7413ZTR
制造商型号: IRF7413ZTR
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
数据列表 IRF7413Z
产品相片 8-SOIC
设计资源 IRF7413Z Saber Model
IRF7413Z Spice Model
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)13A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)10 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1210pF @ 15V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

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