PDF查询| 数据列表 | IRF6641TRPbF |
|---|---|
| 产品相片 | IRF6614TR1PBF |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet Circuit IR Hexfet Circuit |
| 设计资源 | IRF6641TR1PBF Saber Model IRF6641TR1PBF Spice Model |
| 标准包装 | 4,800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.6A （Ta）， 26A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 59.9 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2290pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MZ |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET? MZ |
| 其它名称 | IRF6641TRPBF-ND IRF6641TRPBFTR |
