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International Rectifier - IRF6641TRPBF - MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET - IRF6641TRPBF
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IRF6641TRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF6641TRPBF
制造商型号: IRF6641TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IRF6641TRPbF
产品相片 IRF6614TR1PBF
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
产品目录绘图 IR Hexfet Circuit
IR Hexfet Circuit
设计资源 IRF6641TR1PBF Saber Model
IRF6641TR1PBF Spice Model
标准包装  4,800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.6A (Ta), 26A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)59.9 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.9V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2290pF @ 25V
功率 - 最大值2.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MZ
供应商器件封装DIRECTFET? MZ
其它名称IRF6641TRPBF-ND
IRF6641TRPBFTR

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