PDF查询| 典型关断延迟时间 | 31 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2290 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 5.05mm | |
| 封装类型 | DirectFET MZ | |
| 尺寸 | 5.45 x 5.05 x 0.6mm | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最大功率耗散 | 2800 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.06 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 4.6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极、双源、单 | |
| 长度 | 5.45mm | |
| 高度 | 0.6mm |
