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Fairchild Semiconductor - FQU7N10TU - MOSFET - FQU7N10TU
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FQU7N10TU|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FQU7N10TU
制造商型号: FQU7N10TU
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:100 V
闸/源击穿电压:+/- 25 V
漏极连续电流:5.8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):350 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:IPAK
封装:Rail
下降时间:19 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:2.5 W
上升时间:24 ns
典型关闭延迟时间:13 ns

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