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Fairchild Semiconductor - FQU7N10LTU - MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK - FQU7N10LTU
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FQU7N10LTU|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FQU7N10LTU
制造商型号: FQU7N10LTU
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 FQD7N10L, FQU7N10L
产品相片 DPAK_369D?01
标准包装  5,040
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.8A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)350 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)290pF @ 25V
功率 - 最大值2.5W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装I-Pak

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FQU7N10LTU
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