PDF查询| 数据列表 | FGD4536 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| PCN Assembly/Origin | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | 沟道 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 360V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.8V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | - |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 220A |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 47nC |
| Td (on/off) A 25°C | 5ns/41ns |
| Test Condition | 200V, 20A, 5 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FGD4536TM-ND FGD4536TMTR |
