PDF查询| 数据列表 | FGD3N60LSDTM |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.5V @ 10V，3A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25A |
| 功率 - 最大值 | 40W |
| Switching Energy | 250µJ (开), 1mJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 12.5nC |
| Td (on/off) A 25°C | 40ns/600ns |
| Test Condition | 480V, 3A, 470 欧姆, 10V |
| 反向恢复时间 (trr) | 234ns |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 产品目录页面 | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FGD3N60LSDTM-ND FGD3N60LSDTMTR |
