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| FDB8870-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| FDB8870 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | FDB8870 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | FDB8870_F085 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB | 查价格库存 查看详细 |
 | FDB8870-BKN FSC | TRANS MOSFET N-CH 30V 23A 3PIN TO-263 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| FDB8870 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A TO-263AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| FDB8870_F085 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB 详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），160A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：FDB8870 仓库库存编号：FDB8870FSCT-ND 别名：FDB8870FSCT <br> | | 搜索 |
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| FDB8870 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | FDB8870 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 23A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.9 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 132nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5200pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 160W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | FDB8870-ND FDB8870FSTR |
