| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FDB8870-F085 库存编号:2832-FDB8870-F085TR-ND | FLIP ELECTRONICS | MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB | 0 783起订 | 783+ | ￥11.09 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| FDB8870-F085 库存编号:FDB8870-F085TR-ND | onsemi | MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB | 0 783起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
| FDB8870-F085 库存编号:2156-FDB8870-F085-ND | Rochester Electronics LLC | MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK | 0 307起订 | 307+ | ￥12.21 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FDB8870_F085 库存编号:FDB8870-F085 | onsemi | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB8870-F085) | 0 747起订 | 747+ 750+ 1500+ 3800+ 7500+ | ￥10.51 ￥10.38 ￥10.26 ￥10.21 ￥10.14 | 1-2周 | 询价 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDB8870-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| FDB8870-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| FDB8870-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDB8870-F085 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCH RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDB8870_F085 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB8870-F085) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDB8870-F085 [更多] | ON Semiconductor | 30V,160A,3.9M OHM, NCH,POWER T
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDB8870-F085 [更多] | ON Semiconductor | 30V,160A,3.9M OHM, NCH,POWER T
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FDB8870_F085 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FDB8870_F085 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB  | 查价格库存 查看详细 |
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| FDB8870_F085 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | FDB8870 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| PCN Obsolescence | Multiple Devices 13/Aug/2010 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 23A （Ta）， 160A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.9 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 132nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5200pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 160W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
