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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDB7030BL [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
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FDB7030BL | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB 详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 60W(Tc) D2PAK(TO-263AB) 型号:FDB7030BL 仓库库存编号:FDB7030BLCT-ND 别名:FDB7030BLCT <br> | 无铅 | 搜索 |
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FDB7030BL![]() | 2479317 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷 ![]() | 搜索 |
数据列表 | FDB7030BL, FDP7030BL |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 60A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 9 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 24nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1760pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 60W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | FDB7030BL-ND FDB7030BLTR |