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| FDB7030L | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Ta） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：FDB7030L 仓库库存编号：FDB7030LCT-ND 别名：FDB7030LCT <br> | 无铅 | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Ta） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：FDB7030L_L86Z 仓库库存编号：FDB7030L_L86Z-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | FDB7030L, FDP7030L |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 33nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2440pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 68W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB7030LTR |
