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Fairchild Semiconductor - FDB13AN06A0_Q - MOSFET N-Channel PowerTrench - FDB13AN06A0Q
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FDB13AN06A0_Q|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDB13AN06A0_Q
制造商型号: FDB13AN06A0_Q
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-Channel PowerTrench
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:60 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:62 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):11.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263AB
封装:Reel
下降时间:26 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:115 W
上升时间:96 ns
典型关闭延迟时间:44 ns

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