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Fairchild Semiconductor - FDB13AN06A - MOSFET,N沟道,60V,10.9A,D2PAK - FDB13AN06A
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FDB13AN06A
制造商型号: FDB13AN06A
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,60V,10.9A,D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间24 ns
典型接通延迟时间9 ns
典型栅极电荷@Vgs22 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1350 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度11.33mm
封装类型TO-263AB
尺寸10.67 x 11.33 x 4.83mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散115 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.03 Ω
最大连续漏极电流62 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.67mm
高度4.83mm

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