型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26 RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R - Tape and Reel (Alt: DMG6402LDM-7) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | N-Channel 30 V 27 mOhm 1.12 W SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-26 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMG6402LDM-7 [更多] | Diodes Incorporated | 5.3 A, 30 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
DMG6402LDM-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta) 1.12W(Ta) SOT-26 型号:DMG6402LDM-7 仓库库存编号:DMG6402LDM-7DICT-ND 别名:DMG6402LDM-7DICT | 无铅 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: DMG6402LDM-7 品牌: DiodesZetex 库存编号: 885-5485 | 查看其他仓库 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | DMG6402LDM-7 Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
数据列表 | DMG6402LDM |
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产品相片 | SOT26 |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 27 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.2nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 404pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.12W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
供应商器件封装 | SOT-26 |
产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DMG6402LDM-7DITR DMG6402LDM7 |