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Diodes Inc - DMG6602SVT - 场效应管 MOSFET N/P沟道 互补对 30V TSOT23 - DMG6602SVT
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DMG6602SVT|Diodes Inc
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
DMG6602SVT
制造商型号： DMG6602SVT
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET N/P沟道 互补对 30V TSOT23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N/P???道 互补对 30V TSOT23
  • 晶体管极性: N和P沟道
  • 电流, Id 连续: 3.4A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 0.038ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 1.12W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TSOT-26
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 模块配置: 双
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
  • 漏源电压 Vds, P沟道: -30V
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 3.4A
  • 连续漏极电流 Id, P沟道: -2.8A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.038ohm
  • 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.073ohm

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