型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NE3512S02-A [更多] | California Eastern Laboratories (CEL) | RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NE3512S02-A [更多] | Renesas Electronics Corporation | Trans JFET N-CH 4V 70mA HJFET 4-Pin Case S-02 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NE3512S02-A CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NE3512S02-A CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NE3512S02-A CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
数据列表 | NE3512S02 RF Wireless Brochure |
---|---|
产品目录绘图 | NEx5 Series |
标准包装 | 1 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | RF FET |
系列 | - |
包装 | 散装 |
晶体管类型 | HFET |
频率 | 12GHz |
增益 | 13.5dB |
电压 - 测试 | 2V |
额定电流 | 70mA |
噪声系数 | 0.35dB |
电流 - 测试 | 10mA |
功率 - 输出 | - |
电压 - 额定 | 4V |
封装/外壳 | 4-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | S02 |
产品目录页面 | 577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | NE3512S02A |