型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
NE3511S02-T1C-A 库存编号:NE3511S02-T1C-ATR-ND | California Eastern Laboratories (CEL) | RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 | 0 起订 | 需咨询 | 询价 查看资料 | ||
NE3511S02-T1C-A 库存编号:NE3511S02-T1C-ADKR-ND | California Eastern Laboratories (CEL) | RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 | 0 1起订 | 1+ | ¥36.01 | 需咨询 | 询价 查看资料 |
NE3511S02-T1C-A 库存编号:NE3511S02-T1C-ACT-ND | California Eastern Laboratories (CEL) | RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 | 0 1起订 | 需咨询 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NE3511S02-T1C-A [更多] | California Eastern Laboratories (CEL) | RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
NE3511S02-T1C-A | CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES | NE3511 系列 4 GHz L 至 S 频段 低噪声 放大器 HJ-FET - S0-2 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | CEL IC AMP RF LNA 13.5DB S02 详细描述:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 型号:NE3511S02-T1C-A 仓库库存编号:NE3511S02-T1C-ACT-ND 别名:NE3511S02-T1C-ACT <br> | 无铅 | 搜索 |
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