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CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES - NE3511S02-T1C-A - NE3511 系列 4 GHz L 至 S 频段 低噪声 放大器 HJ-FET - S0-2 - NE3511S02T1CA
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NE3511S02-T1C-A
库存编号:NE3511S02-T1C-ATR-ND		 California Eastern Laboratories (CEL) RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S020
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NE3511S02-T1C-A
库存编号:NE3511S02-T1C-ADKR-ND		 California Eastern Laboratories (CEL) RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S020
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NE3511S02-T1C-A
库存编号:NE3511S02-T1C-ACT-ND		 California Eastern Laboratories (CEL) RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S020
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NE3511S02-T1C-A
[更多]		 California Eastern Laboratories (CEL)

RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

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NE3511S02-T1C-A|CALIFORNIA EASTERN LABORATORIESNE3511S02-T1C-A
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES		NE3511 系列 4 GHz L 至 S 频段 低噪声 放大器 HJ-FET - S0-2
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NE3511S02-T1C-A|CELNE3511S02-T1C-A
CEL		HJ-FET NCH 13.5DB S02
Rohs

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CEL - NE3511S02-T1C-A - IC AMP RF LNA 13.5DB S02		CEL
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02

型号：NE3511S02-T1C-A
仓库库存编号：NE3511S02-T1C-ACT-ND
别名：NE3511S02-T1C-ACT <br>

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无图NE3511S02-T1C-A
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES		NE3511 系列 4 GHz L 至 S 频段 低噪声 放大器 HJ-FET - S0-2
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NE3511S02-T1C-A|CELNE3511S02-T1C-A
CEL		HJ-FET NCH 13.5DB S02
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NE3511S02-T1C-A
制造商型号： NE3511S02-T1C-A
制造商： CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
描述： NE3511 系列 4 GHz L 至 S 频段 低噪声 放大器 HJ-FET - S0-2
技术参考： Rohs PDF查询
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备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Frequency Range: 0 to 4 GHz
  • Channel Type: N-Channel
  • DS Breakdown Voltage-Min: 4 V
  • Gain: 13.5 dB
  • Output Power: 165 mW

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