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| SUP60N10-16L-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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 | SUP60N10-16L-E3 VISHAY | 单 N沟道 100 V 0.016 Ohms 法兰安装 功率Mosfet - TO-220AB  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB 详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB 型号：SUP60N10-16L-E3 仓库库存编号：SUP60N10-16L-E3-ND | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SUP60N10-16L Packaging Information |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 60A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 16 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3820pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
