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SI6973DQ-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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SI6973DQ-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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SI6973DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP 详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP 型号:SI6973DQ-T1-GE3 仓库库存编号:SI6973DQ-T1-GE3-ND | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | SI6973DQ |
---|---|
产品相片 | 8-TSSOP |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.1A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 30 毫欧 @ 4.8A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 450mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 830mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |