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VISHAY SILICONIX - SI6862DQ-T1 - MOSFET 20V 6.6A 1.8W - SI6862DQT1
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型号 制造商 描述 操作
SI6562DQ-T1
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MOSFET 20V 4.5/3.5A

RoHS: Not compliant

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SI6562DQ-T1-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 4.5/3.5A

RoHS: Compliant

搜索
SI6562DQ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI6562DQ-T1
[更多]		 Vishay Siliconix

4500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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SI6562DQ-T1
[更多]		 Vishay Siliconix

4500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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SI6562DQ-T1
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4500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
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SI6862DQ-T1 VISHAY SILICONIX MOSFET 20V 6.6A 1.8W 查看库存、价格及货期
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI6862DQ-T1-E3|VISHAY SILICONIXSI6862DQ-T1-E3
VISHAY SILICONIX		MOSFET 20V 6.6A 1.8W
Rohs

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SI6862DQ-T1|VISHAY SILICONIXSI6862DQ-T1
VISHAY SILICONIX		MOSFET 20V 6.6A 1.8W
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图SI6862DQ-T1
VISHAY SILICONIX		MOSFET 20V 6.6A 1.8W
Rohs

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无图SI6862DQ-T1-E3
VISHAY SILICONIX		MOSFET 20V 6.6A 1.8W
Rohs

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SI6862DQ-T1|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI6862DQ-T1
制造商型号： SI6862DQ-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 6.6A 1.8W
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:6.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:26 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSSOP-8
封装:Reel
下降时间:40 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.1 W
上升时间:40 ns
工厂包装数量:3000
商标名:TrenchFET
典型关闭延迟时间:80 ns

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