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Vishay Siliconix - IRFD110PBF - MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP - IRFD110PBF
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50个仓库，1500万条库存数据任选
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFD110PBF
库存编号:IRFD110PBF-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP0
2500起订		2500+
￥6.76
6-10天询价 询价
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  新加坡3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFD110PBF
库存编号:1653666		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N14
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
5000+
￥12.22
￥10.51
￥9.05
￥8.44
￥6.72
￥6.36
1-2周购买 购买
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查看资料
  美国6号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFD110PBF
库存编号:IRFD110PBF		 Vishay Intertechnologies MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET0
2500起订		1-3周询价 询价
  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFD110PBF
库存编号:IRFD110PBF		 Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 0.71A, 1.3W, DIP44699
1起订		1+
10+
100+
200+
500+
1000+
2000+
￥19.5
￥9.2
￥7.15
￥6.82
￥6.19
￥5.87
￥5.61
1-3周购买 购买
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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFD110PBF Vishay Intertechnologies 1000 MA, 100 V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET356
1起订		1+
98+
215+
￥51.21
￥25.61
￥23.69
1-3周购买 购买
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IRFD110PBF Vishay Intertechnologies 1000 MA, 100 V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET16
1起订		1+
4+
10+
￥61.45
￥51.21
￥45.06
1-3周购买 购买
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  英国11号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFD110PBF
库存编号:9194498		 Vishay Intertechnologies MOSFET N-Channel 100V 1A HVMDIP4, TU100
100起订		100+
200+
400+
￥10.43
￥10.29
￥9.85
1-3周购买 购买
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IRFD110PBF
库存编号:5411039		 Vishay Intertechnologies MOSFET N-Channel 100V 1A HVMDIP4, EA40
1起订		1+
10+
50+
￥20.27
￥19.64
￥19.06
1-3周购买 购买
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参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD110PBF)

RoHS: Not Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFD 110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET,N CHAN, 100V, 1A, DIP

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 60 V 0.54 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Semiconductors

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.54Ohm, ID 1A, HD-1, PD 1.3W, VGS +/-20V, VF 2.

RoHS: Compliant

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IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Siliconix

100V Single N-Channel HEXFET

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: HEXDIP Polarity: N Power dissipation: 1.3 W

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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Harris Semiconductor

1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

搜索
IRFD110PBF
[更多]		 International Rectifier

1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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查看更多最新库存及价格请点击搜索按钮,以下列表只显示产品部分信息。
  自家仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFD110PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP 查看库存、价格及货期
  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFD110PBF...
VISHAY IRFD110PBF...		1653666

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V

 (EN)		搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - IRFD110PBF - MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

型号：IRFD110PBF
仓库库存编号：IRFD110PBF-ND
别名：*IRFD110PBF <br>

无铅		搜索
  日本5号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Vishay - IRFD110PBF - MOSFET N, 100 V 1.3 A 1.3 W HEXDIP, IRFD110PBF, Vishay		Vishay
MOSFET N, 100 V 1.3 A 1.3 W HEXDIP, IRFD110PBF, Vishay

型号：IRFD110PBF
仓库库存编号：171-07-429

搜索
  英国2号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Vishay PCS - IRFD110PBF - VF 2. VGS +/-20V PD 1.3W HD-1 ID 1A RDS(ON) 0.54Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70078892 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.54Ohm; ID 1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V; VF 2.

型号：IRFD110PBF
仓库库存编号：70078892

搜索

Siliconix / Vishay - IRFD110PBF - 100V Single N-Channel HEXFET|70459443 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
100V Single N-Channel HEXFET

型号：IRFD110PBF
仓库库存编号：70459443

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  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IRFD 110PBF
VISHAY		原厂原装货
暂无PDF 		查价格库存
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IRFD110PBF|VISHAYIRFD110PBF
VISHAY		单 N 沟道 60 V 0.54 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IRFD110PBF
VISHAY		单 N 沟道 60 V 0.54 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
Rohs

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IRFD110PBF|Vishay SemiconductorsIRFD110PBF
Vishay Semiconductors		MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
Rohs

暂无PDF 		查价格库存
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IRFD110PBF|Vishay SiliconixIRFD110PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Rohs

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IRFD110PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFD110PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N DIL
Rohs

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IRFD110PBF|Vishay SiliconixIRFD110PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Rohs

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IRFD110PBF|Vishay Siliconix
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRFD110PBF
制造商型号： IRFD110PBF
制造商： Vishay Siliconix
描述： MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
数据列表 IRFD110
产品相片 IRFD9010PBF
产品目录绘图 IR(F,L)D Series Side 1
IR(F,L)D Series Side 2
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）1A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）540 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)8.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)180pF @ 25V
功率 - 最大值1.3W
安装类型通孔
封装/外壳4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装4-DIP，Hexdip，HVMDIP
产品目录页面1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名称*IRFD110PBF

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