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Toshiba - TPC8A04-H(TE12L,Q) - MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B - TPC8A04HTE12LQ
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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TPC8A01(TE12L
库存编号:TPC8A01(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 30V 6A/8.5A 8-Pin SOP T/R - Tape and Reel (Alt: TPC8A01(TE12L,Q))0
1起订
1-2周询价 询价
  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
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货期
(工作日)
操作
TPC8A01(TE12L) Toshiba America Electronic Components  
6233
1起订
1+
890+
1906+
¥41.15
¥14.41
¥12.35
1-3周购买 购买
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  香港8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
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TPC8A01(TE12L) Toshiba America Electronic Components N/A (ship within 1day) - D/C 20047792
1起订
1+
10+
50+
100+
500+
1000+
¥27.75
¥16.07
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1-3周购买 购买
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  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
TPC8A04-H(TE12L,Q)
[更多]
Toshiba America Electronic Components

MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A

RoHS: Compliant

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TPC8A04-H(TE12L,QM
[更多]
Toshiba America Electronic Components

MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8 MOQ=3000 V=30 PD=1.9W F=1MHZ

RoHS: Compliant

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TPC8A04-H(TE12L,Q) Toshiba MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B 查看库存、价格及货期
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
TPC8A04-H(TE12L,Q)|ToshibaTPC8A04-H(TE12L,Q)
Toshiba
MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
Rohs

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无图TPC8A04-H(TE12L,QM
Toshiba
MOSFET N-ch 30V 18A SOP-8
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图TPC8A04-H(TE12L Q)
Toshiba
MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A
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无图TPC8A04-H(TE12L QM
Toshiba
MOSFET N-ch 30V 18A SOP-8
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TPC8A04-H(TE12L,Q)|ToshibaTPC8A04-H(TE12L,Q)
Toshiba
MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
Rohs

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无图TPC8A04-H(TE12L,QM
Toshiba
MOSFET N-ch 30V 18A SOP-8
Rohs

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TPC8A04-H(TE12L,Q)|Toshiba
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TPC8A04-H(TE12L,Q)
制造商型号: TPC8A04-H(TE12L,Q)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 TPC8A04-H
Mosfets Prod Guide
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)18A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3.6 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5700pF @ 10V
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装8-SOP(5.5x6.0)

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