型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
CSD86311W1723 库存编号:296-27599-1-ND | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | 1890 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥18.69 ¥11.78 ¥7.83 ¥6.14 ¥5.6 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
CSD86311W1723 库存编号:296-27599-6-ND | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | 1890 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥18.69 ¥11.78 ¥7.83 ¥6.14 ¥5.6 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
CSD86311W1723 库存编号:296-27599-2-ND | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | 0 3000起订 | 3000+ 6000+ 9000+ 15000+ | ¥4.89 ¥4.56 ¥4.38 ¥4.38 | 需咨询 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
CSD86311W1723 库存编号:595-CSD86311W1723 | Texas Instruments | MOSFETs Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET | 3000 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 3000+ 9000+ | ¥15.6 ¥10.13 ¥7.23 ¥5.83 ¥5.07 ¥4.31 ¥4.15 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
CSD86311W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 4.5A 1.5W Surface Mount 12-DSBGA 型号:CSD86311W1723 仓库库存编号:296-27599-1-ND 别名:296-27599-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | CSD86311W1723 |
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产品相片 | 12-DSBGA YZG |
产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
视频文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | NexFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.5A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 39 毫欧 @ 2A,8V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 585pF @ 12.5V |
功率 - 最大值 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 12-UFBGA,DSBGA |
供应商器件封装 | 12-DSBGA(1.53x1.98) |
其它名称 | 296-27599-2 |