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 | Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA 详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5） 型号：CSD25211W1015 仓库库存编号：296-36578-1-ND 别名：296-36578-1 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | CSD25211W1015 |
|---|---|
| 产品相片 | YZC-6-BGA Pkg |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.2A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 33 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.1nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 570pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，DSBGA |
| 供应商器件封装 | 6-DSBGA（1x1.5） |
