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Texas Instruments - CSD16321Q5C - MOSFET N-CH 25V 100A 8SON - CSD16321Q5C
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CSD16321Q5C
库存编号:296-25643-1-ND
Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON0
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CSD16321Q5C
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Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON0
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CSD16321Q5C
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Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON0
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CSD16321Q5C
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Texas Instruments

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

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Texas Instruments

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

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MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

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Texas Instruments

MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET

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CSD16321Q5C
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Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD16321Q5C)

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Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD16321Q5C)

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Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R - Cut TR (SOS) (Alt: CSD16321Q5C/BKN)

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Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R - Tape and Reel (Alt: CSD16321Q5C)

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Texas Instruments

MOSFET, N CH, 25V, 31A, 8SON

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CSD16321Q5C|Texas InstrumentsCSD16321Q5C
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
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无图CSD16321Q5C.
TEXAS INSTRUMENTS
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TI
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
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Texas Instruments - CSD16321Q5C - MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)

型号:CSD16321Q5C
仓库库存编号:296-25643-1-ND
别名:296-25643-1 <br>

含铅
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CSD16321Q5C
TEXAS INSTRUMENTS CSD16321Q5C
1791476

TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 1.9 mohm, 8 V, 1.1 V

(EN)
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CSD16321Q5C|Texas Instruments
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CSD16321Q5C
制造商型号: CSD16321Q5C
制造商: Texas Instruments
描述: MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
技术参考: PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 CSD16321Q5C
产品相片 CSD1632x Series 8-SON
产品培训模块 NexFET MOSFET Technology
视频文件 NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
设计资源 Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer
特色产品 DualCool? NexFET? CSD16 Q5C MOSFETs
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列NexFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)31A (Ta), 100A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.4 毫欧 @ 25A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)19nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3100pF @ 12.5V
功率 - 最大值3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-SON-EP(5x6)
产品目录页面1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称296-25643-2

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