型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
CSD16321Q5C 库存编号:296-25643-1-ND | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON | 0 1起订 | 1+ | ¥28.78 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
CSD16321Q5C 库存编号:296-25643-6-ND | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON | 0 1起订 | 1+ | ¥28.78 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
CSD16321Q5C 库存编号:296-25643-2-ND | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON | 0 2500起订 | 2500+ | ¥10.44 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 查看资料 |
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CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD16321Q5C) RoHS: Compliant | 搜索 |
CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD16321Q5C) RoHS: Compliant | 搜索 |
CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R - Cut TR (SOS) (Alt: CSD16321Q5C/BKN) RoHS: Compliant | 搜索 |
CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R - Tape and Reel (Alt: CSD16321Q5C) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments | MOSFET, N CH, 25V, 31A, 8SON
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD16321Q5C [更多] | Texas Instruments |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
CSD16321Q5C | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6) 型号:CSD16321Q5C 仓库库存编号:296-25643-1-ND 别名:296-25643-1 <br> | 含铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
CSD16321Q5C![]() | 1791476 | TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 1.9 mohm, 8 V, 1.1 V ![]() | 搜索 |
数据列表 | CSD16321Q5C |
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产品相片 | CSD1632x Series 8-SON |
产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
视频文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
设计资源 | Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer |
特色产品 | DualCool? NexFET? CSD16 Q5C MOSFETs |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | NexFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 31A (Ta), 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 2.4 毫欧 @ 25A,8V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3100pF @ 12.5V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 8-SON-EP(5x6) |
产品目录页面 | 1623 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 296-25643-2 |