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| STW25NM60ND [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STW25NM60ND | 2098388 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： STW25NM60ND 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 103-1990 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号： STW25NM60ND 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0301 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3 型号：STW25NM60ND 仓库库存编号：497-8455-5-ND 别名：497-8455-5 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STx25NM60ND |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 其它有关文件 | STW25NM60ND View All Specifications |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | FDmesh™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 160 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2400pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 160W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 产品目录页面 | 1541 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 497-8455-5 |
