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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 4引脚 TO-251封装
| 制造商零件编号： STU4N62K3 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 760-9746 | 搜索 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STU4N62K3 | 2098358 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK 详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 70W（Tc） I-Pak 型号：STU4N62K3 仓库库存编号：497-12364-ND 别名：497-12364 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STx(I)4N62K3 |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 其它有关文件 | STU4N62K3 View All Specifications |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SuperMESH3™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 620V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.8A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 550pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 70W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | 497-12364 |
