型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STU3N62K | STMicroelectronics | MOSFET,N沟道,620V,2.7A,IPAK | 查看库存、价格及货期 |
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STU3N62K3![]() | 2098356 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V ![]() | 搜索 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK 详细描述:通孔 N 沟道 2.7A(Tc) 45W(Tc) I-Pak 型号:STU3N62K3 仓库库存编号:497-12695-5-ND 别名:497-12695-5 <br>STU3N62K3-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU3N62K3, 2.7 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-251封装
| 制造商零件编号: STU3N62K3 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 761-0231 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 22 ns | |
典型接通延迟时间 | 9 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 13 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 385 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 2.4mm | |
封装类型 | TO-251 | |
尺寸 | 6.6 x 2.4 x 6.9mm | |
引脚数目 | 3 | |
最大功率耗散 | 45 W | |
最大栅源电压 | ±30 V | |
最大漏源电压 | 620 V | |
最大漏源电阻值 | 2.5 Ω | |
最大连续漏极电流 | 2.7 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
长度 | 6.6mm | |
高度 | 6.9mm |