型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STP60N55F3 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N Ch 55V 6.5mohm 80A RoHS: Compliant | 搜索 |
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STP60N55F3 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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STP60N55F3 [更多] | STMicroelectronics | 80 A, 55 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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STP60N55F | STMicroelectronics | MOSFET,N沟道,55V,80A,TO220 | 查看库存、价格及货期 |
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| 制造商零件编号: STP60N55F3 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 687-5349 | 搜索 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB 型号:STP60N55F3 仓库库存编号:497-7528-5-ND 别名:497-7528-5 <br>STP60N55F3-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 35 ns | |
典型接通延迟时间 | 20 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 33.5 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 2200 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.6mm | |
封装类型 | TO-220 | |
尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 110000 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 55 V | |
最大漏源电阻值 | 0.009 Ω | |
最大连续漏极电流 | 80 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.4mm | |
高度 | 9.15mm |