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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
STP34NM60N	2098317	STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V (EN)	搜索
STP34NM60ND	2098318	STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V (EN)	搜索

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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STP34NM60N
品牌：
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库存编号：
761-0106

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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 4引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STP34NM60ND
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
760-9685

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 29A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3 型号：STP34NM60N 仓库库存编号：497-10884-5-ND 别名：497-10884-5 <br>	无铅	搜索
	STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 190W（Tc） TO-220 型号：STP34NM60ND 仓库库存编号：497-11335-5-ND 别名：497-11335-5 <br>	无铅	搜索

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STP34NM60
制造商型号： STP34NM60
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET，N沟道，600V，29A，TO220
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备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com

由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

产品信息

	典型关断延迟时间	106 ns
	典型接通延迟时间	17 ns
	典型栅极电荷@Vgs	84 nC V @ 10
	典型输入电容值@Vds	2722 pF V @ 100
	安装类型	通孔
	宽度	4.6mm
	封装类型	TO-220
	尺寸	10.4 x 4.6 x 15.75mm
	引脚数目	3
	最大功率耗散	210 W
	最大栅源电压	±25 V
	最大漏源电压	600 V
	最大漏源电阻值	0.105 Ω
	最大连续漏极电流	29 A
	最高工作温度	+150 °C
	每片芯片元件数目	1
	类别	功率 MOSFET
	通道模式	增强
	通道类型	N
	长度	10.4mm
	高度	15.75mm

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