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| STP2NK100Z [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| STP2NK100 | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，1kV，2A，TO220 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 1.85A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB 型号：STP2NK100Z 仓库库存编号：497-7518-5-ND 别名：497-7518-5 <br>STP2NK100Z-ND <br> |  | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STP2NK100Z | 2098314 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V (EN) | 搜索 |
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| 制造商零件编号： STP2NK100Z 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0095 | 搜索 |
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 | STP2NK100 STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，1kV，2A，TO220 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 典型关断延迟时间 | 41.5 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.2 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 499 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 70 W | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 1000 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8.5 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.85 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 15.75mm |
