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| STP24NM60N [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 17A TO220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 制造商零件编号： STP24NM60N 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 760-9679 | 搜索 |
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STP24NM60N | 2098308 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V (EN) | 搜索 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 17A TO220 详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220 型号：STP24NM60N 仓库库存编号：497-11229-5-ND 别名：497-11229-5 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STF24NM60N, STP24NM60N |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 其它有关文件 | STP24NM60N View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 17A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 190 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1400pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-11229-5 |
