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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 9A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB 型号：STP10NK80Z 仓库库存编号：497-7498-5-ND 别名：497-7498-5 <br>STP10NK80Z-ND <br> | | 搜索 |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP 详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP 型号：STP10NK80ZFP 仓库库存编号：497-5972-5-ND 别名：497-5972-5 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | ST(P,W)10NK80Z(FP) |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 其它有关文件 | STP10NK80Z View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SuperMESH™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 900 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2180pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 160W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 产品目录页面 | 1541 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用 | |
| 其它名称 | 497-7498-5 STP10NK80Z-ND |
