型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STN3PF0 | STMicroelectronics | MOSFET,P沟道,60V,2.5A,SOT223 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | STN3PF06 STMICROELECTRONICS | 场效应管 MOSFET P沟道 2.5W SOT-223![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STN3PF06![]() | 1291978 | STMICROELECTRONICS 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223 详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.5A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223 型号:STN3PF06 仓库库存编号:497-4116-1-ND 别名:497-4116-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 40 ns | |
典型接通延迟时间 | 20 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 16 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 850 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 3.5mm | |
封装类型 | SOT-223 | |
尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.8mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 2500 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 60 V | |
最大漏源电阻值 | 0.2 Ω | |
最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 双漏极、单 | |
长度 | 6.5mm | |
高度 | 1.8mm |