| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STL100N1VH5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 12V 0.0022 Ohm 25A STripFET V RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STL100N1VH | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，12V，100A，PowerFLAT8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STL100N1VH STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，12V，100A，PowerFLAT8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STL100N1VH5 | 2098270 | STMICROELECTRONICS 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 12 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 500 mV (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56 详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 100A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（5x6） 型号：STL100N1VH5 仓库库存编号：497-11219-1-ND 别名：497-11219-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： STL100N1VH5 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 760-9635 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 14.4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 26.5 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2085 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.15mm | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 尺寸 | 5.2 x 6.15 x 0.95mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.004 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、三源 | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 高度 | 0.95mm |
