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| STI34N65M5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.09Ohm 28A pwr MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK 详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） I2PAKFP（TO-281） 型号：STI34N65M5 仓库库存编号：497-13439-ND 别名：497-13439 <br> |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | ST(x,xx)34N65M5 |
|---|---|
| 产品相片 | SUPERMESH -IPAK |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | Mdmesh™ V |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 28A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 110 mOhm @ 14A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 62.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2700pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 190W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3 整包, I²Pak |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-13439 |
