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STMicroelectronics - STI30N65M - MOSFET,N沟道,650V,22A,I2PAK - STI30N65M
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STI30N65M5
库存编号:497-11330-5-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK993
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STI30N65M5
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STMicroelectronics

MOSFET Nchannel 650 V 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh

RoHS: Compliant

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STMicroelectronics - STI30N65M5 - MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK

详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 140W(Tc) I2PAK

型号:STI30N65M5
仓库库存编号:497-11330-5-ND
别名:497-11330-5 <br>

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STI30N65M
制造商型号: STI30N65M
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,650V,22A,I2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间50 ns
典型栅极电荷@Vgs64 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds2880 pF @ 100 V
安装类型通孔
宽度4.6mm
封装类型I2PAK
尺寸10.4 x 4.6 x 10.75mm
引脚数目3
最大功率耗散140 W
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压650 V
最大漏源电阻值0.139 Ω
最大连续漏极电流13 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.4mm
高度10.75mm

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