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STMicroelectronics - STE110NS20FD - MOSFET N-Ch 200 Volt 110 A - STE110NS20FD
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STE110NS20FD
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MOSFET N-Ch 200 Volt 110 A

RoHS: Compliant

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STMicroelectronics - STE110NS20FD - MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 110A（Tc） 500W（Tc） ISOTOP?

型号：STE110NS20FD
仓库库存编号：497-2657-5-ND
别名：497-2657-5 <br>

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STE110NS20FD|STMicroelectronics
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STE110NS20FD
制造商型号： STE110NS20FD
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET N-Ch 200 Volt 110 A
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:200 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:110 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:24 mOhms
配置:Single Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:ISOTOP
封装:Tube
下降时间:140 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :30 S
最小工作温度:- 65 C
功率耗散:500 W
上升时间:130 ns
工厂包装数量:10
典型关闭延迟时间:245 ns

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