| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD5NM60T4 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| STD5NM60-1 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A IPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD5NM60-1 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
| STD5NM60T4 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD5NM60-1 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| STD5NM60T4 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD5NM60T4 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: STD5NM60T4) RoHS: Compliant | 搜索 |
| STD5NM60-1 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: STD5NM60-1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| STD5NM60T4 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Cut Tape Product (Alt: STD5NM60T4) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD5NM60-1 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, N CH, 600V, 5A, IPAK
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| STD5NM60T4 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, N, D-PAK
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| STD5NM60T4 [更多] | STMicroelectronics | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 600V, 3.1A, 96W, DPAK
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STD5NM6 | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，600V，5A，DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 5A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Tc） 96W（Tc） D-Pak 型号：STD5NM60T4 仓库库存编号：497-3163-1-ND 别名：497-3163-1 <br> |  | 搜索 |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 5A IPAK 详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 96W（Tc） I-Pak 型号：STD5NM60-1 仓库库存编号：497-12786-5-ND 别名：497-12786-5 <br>STD5NM60-1-ND <br> | | 搜索 |
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| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 400 nC V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 96 W | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 2.4mm |
