| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD3NK50ZT4 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD3NK50ZT4 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD3NK50ZT4 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD3NK50ZT4 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: STD3NK50ZT4) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD3NK50ZT4 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD3NK50ZT4 [更多] | STMicroelectronics | N-Channel 500 V 3.3 Ohm Zener-Protected SuperMESH Power MosFet - TO-252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| STD3NK50ZT4 [更多] | STMicroelectronics | N-Channel 500 V 3.3 Ohm Zener-Protected SuperMESH Power MosFet - TO-252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD3NK50ZT4 [更多] | STMicroelectronics | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 500V, 1.45A, 45W, DPAK
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STD3NK50ZT | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，500V，2.3A，SuperMESH，DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | STD3NK50ZT STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，500V，2.3A，SuperMESH，DPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | STD3NK50ZT4 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| STD3NK50ZT STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，500V，2.3A，SuperMESH，DPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| STD3NK50ZT4 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | STD3NK50ZT4 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： STD3NK50ZT4 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 687-5178 | 搜索 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 45W（Tc） D-Pak 型号：STD3NK50ZT4 仓库库存编号：497-4333-1-ND 别名：497-4333-1 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 24 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 280 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 45000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.3 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 2.4mm |
