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STMicroelectronics - STB3N62K3 - MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK - STB3N62K3
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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操作
STB3N62K3
库存编号:497-8476-1-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK2086
1起订
1+
10+
100+
500+
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¥21.06
¥14.44
¥11.61
6-10天购买 购买
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STB3N62K3
库存编号:497-8476-2-ND
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1000起订
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¥10.7
6-10天购买 购买
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  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
STB3N62K3 STMicroelectronics  
700
1起订
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¥21
1-3周购买 购买
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参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STB3N62K3
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STMicroelectronics

MOSFET N-channel 620V, 2.7A Power MOSFET

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
STB3N62K3
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STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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STB3N62K3
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STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
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STB3N62K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK 查看库存、价格及货期
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STB3N62K3|STMicroelectronicsSTB3N62K3
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
Rohs

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STB3N62K3|STMicroelectronicsSTB3N62K3
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MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
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STB3N62K3|STMicroelectronicsSTB3N62K3
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MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
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STMicroelectronics - STB3N62K3 - MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 45W(Tc) D2PAK

型号:STB3N62K3
仓库库存编号:497-8476-1-ND
别名:497-8476-1 <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
STB3N62K3
STMICROELECTRONICS STB3N62K3
2098139

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STB3N62K3 - STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB3N62K3, 2.7 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
STB3N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9831
搜索
STB3N62K3|STMicroelectronics
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB3N62K3
制造商型号: STB3N62K3
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 STx3N62K3
产品相片 TO-263
其它有关文件 STB3N62K3 View All Specifications
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)620V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.7A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)385pF @ 25V
功率 - 最大值45W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
产品目录页面1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-8476-2

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