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 | Rohm Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount UMT3 型号：DTC643TUT106 仓库库存编号：DTC643TUT106CT-ND 别名：DTC643TUT106CT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | DTC643TU,TK |
|---|---|
| 产品相片 | DAP236UT106 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 820 @ 50mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 150mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | DTC643TUT106-ND DTC643TUT106TR |
