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DTC363EUT106 [更多] | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 20V 600MA RoHS: Compliant | 搜索 |
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DTC363EUT106 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN 20V 600MA SOT-323 TR | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Rohm Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3 型号:DTC363EUT106 仓库库存编号:DTC363EUT106-ND | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | DTC363EU/EK/ES |
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产品相片 | DAP236UT106 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 6.8k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 6.8k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 80mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | UMT3 |