PDF查询| 典型关断延迟时间 | 44 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 26 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，17.5 常闭 | |
| 典型输入电容值@Vds | 25 V 时，1020 pF | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 8.6mm | |
| 封装类型 | LDPAK | |
| 尺寸 | 10.2 x 8.6 x 4.44mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大功率耗散 | 104.1 W | |
| 最大栅源电压 | +30 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.57 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 16 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 高度 | 4.44mm |
