PDF查询| 典型关断延迟时间 | 33.9 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.3 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 810 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 封装类型 | WPAK-D2 | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.1 x 0.8mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大功率耗散 | 10（晶体管 1）W，25（晶体管 2）W | |
| 最大栅源电压 | ±20（晶体管 1）V，±20（晶体管 2）V | |
| 最大漏源电压 | 25（晶体管 1）V，25（晶体管 2）V | |
| 最大漏源电阻值 | 13.7 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 15（晶体管 1）A，40（晶体管 2）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 三漏极、三源 | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 0.8mm |
