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| NTD4809N-35G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM RoHS: Compliant | 搜索 |
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| NTD4809N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A IPAK 详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） I-Pak 型号：NTD4809N-35G 仓库库存编号：NTD4809N-35G-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | NTD4809N |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9.6A （Ta）， 58A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1456pF @ 12V |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
