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 | ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 95A（Ta），120.5A（Tc） 1.98W（Ta），113.6W（Tc） D2PAK 型号：NTB125N02RT4 仓库库存编号：NTB125N02RT4OSCT-ND 别名：NTB125N02RT4OSCT <br> |  | 搜索 |
| ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 95A（Ta），120.5A（Tc） 1.98W（Ta），113.6W（Tc） D2PAK 型号：NTB125N02RT4G 仓库库存编号：NTB125N02RT4GOS-ND 别名：NTB125N02RT4GOS <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | NTB,NTP125N02R |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装 | 10 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 24V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 95A （Ta）， 120.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 28nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3440pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 1.98W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB125N02RT4OSCT |
