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ON Semiconductor - MUN2111T3 - TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 - MUN2111T3
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TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP

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SMUN2111T1G
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Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP SPCL

RoHS: Compliant

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SMUN2111T3G
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ON Semiconductor

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP SPCL

RoHS: Compliant

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SMUN2111T3G
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R - Tape and Reel (Alt: SMUN2111T3G)

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MUN2111T3
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MUN2111T3|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MUN2111T3
制造商型号: MUN2111T3
制造商: ON Semiconductor
描述: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 MUN21xxT1 Series
产品相片 SOT-23-3
产品变化通告 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装  10,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)10k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)10k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)35 @ 5mA,10V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁-
功率 - 最大值230mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SC-59

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