型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SMUN2111T3G [更多] | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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MUN2111T3G [更多] | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP RoHS: Compliant | 搜索 |
SMUN2111T1G [更多] | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP SPCL RoHS: Compliant | 搜索 |
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SMUN2111T3G [更多] | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R - Tape and Reel (Alt: SMUN2111T3G) RoHS: Compliant | 搜索 |
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MUN2111T3 | ON Semiconductor | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | 查看库存、价格及货期 |
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数据列表 | MUN21xxT1 Series |
---|---|
产品相片 | SOT-23-3 |
产品变化通告 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
标准包装 | 10,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | - |
功率 - 最大值 | 230mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SC-59 |