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ON Semiconductor - MMBTH10LT1 - TRANS SS VHF NPN 25V SOT23 - MMBTH10LT1
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TRANSISTOR, NPN

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TRANSISTOR, NPN, FULL REEL

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TRANS, BIPOL, AEC-Q101, NPN, 25V, SOT-23

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MMBTH10LT1G
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MMBTH Series 25 V 100 nA Surface Mount NPN Silicon VHF/UHF Transistor - SOT-23

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ON Semi NSVMMBTH10LT1G NPN RF Bipolar Transistor, 0.5 A, 25 V, 3-Pin SOT-23

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MMBTH10LT1G
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ON Semi MMBTH10LT1G NPN RF Bipolar Transistor, 0.004 A, 25 V, 3-Pin SOT-23

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Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23

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Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23

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MMBTH10LT1G
ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G
1459112

ON SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

(EN)
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MMBTH10LT1G
ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G
2441389

ON SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

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MMBTH10LT1G
ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G
1459112RL

ON SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

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ON Semiconductor - MMBTH10LT1G - TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
ON Semiconductor
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23

详细描述:RF Transistor NPN 25V 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

型号:MMBTH10LT1G
仓库库存编号:MMBTH10LT1GOSCT-ND
别名:MMBTH10LT1GOSCT <br>

无铅
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ON Semiconductor - MMBTH10LT1 - TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
ON Semiconductor
TRANS SS VHF NPN 25V SOT23

详细描述:RF Transistor NPN 25V 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

型号:MMBTH10LT1
仓库库存编号:MMBTH10LT1OSCT-ND
别名:MMBTH10LT1OSCT <br>

含铅
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

ON Semiconductor - MMBTH10LT1G - 3-Pin SOT-23 25 V 0.004 A ON Semi MMBTH10LT1G NPN RF Bipolar Transistor|70340293 | ChuangWei Electronics
ON Semiconductor
ON Semi MMBTH10LT1G NPN RF Bipolar Transistor, 0.004 A, 25 V, 3-Pin SOT-23


型号:MMBTH10LT1G
仓库库存编号:70340293

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MMBTH10LT1|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MMBTH10LT1
制造商型号: MMBTH10LT1
制造商: ON Semiconductor
描述: TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 MMBTH10(-4)LT1
产品相片 SOT-23-3
产品变化通告 Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装  10
类别分立半导体产品
家庭RF 晶体管 (BJT)
系列-
包装  剪切带 (CT)  
晶体管类型NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)25V
频率 - 跃迁650MHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)-
增益-
功率 - 最大值225mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 4mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)-
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
其它名称MMBTH10LT1OSCT

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